北京外国语大学留学预科（https://www.liuxue114.com/beiwai/）报道：美国作为是超级大国，在电气工程专业上的实力不言而喻。在2015QS世界大学电子电气专业排名中，排名前二十名的院校中，美国就占到了10位之多。这也就说明了众多学子选择到美国就读EE的缘由。

　　电力技术

　　此方面主要包括了电气材料学与半导体学，电力电子及装置，电机，电动车辆，电力系统动态以及稳定性，电力系统经济性运行，实时控制，电能转换，高电压工程等。

　　子方向名称：半导体界面及缺陷、电力电子。定义：PE是应用于电力领域，使用电力电子元件对电能进行变换和控制的电子技术。电力电子学由电力学、电子学、控制理论三个学科交叉形成的。

　　目前的power electronics的就业形势相当偏理论的方向是比较好的，很多著名的公司都是大家耳熟能详的招power人才的，如ABB，GE，Siemens，Motorola，Philips和一些电子半导体业的公司National Semiconductor，Analog device，International rectifier Infineon Technologies，Fairchild和一些日本的公司。但是在现阶段的经济条件之下，如上企业不少出现了财政危机，但是R&D部门还是在招人的。

　　另外，power electronics是有相关工作经验的申请者不错的选择，代表学校：第一档：Virginia T，U Wisconsin，UIUC。其他的：U Minnesota，TAMU，TTU。

　　计算机科学与工程

　　计算机科学与工程涉及领域较宽广，包括计算机图形学，计算机视觉技术，口语系统，医学机器人，医学视觉，移动机器人学，应用人工智能，有生物灵感的机器人及其模型。医疗决策系统，计算机辅助自动化，计算机体系结构，网络与移动系统，并行与分布式操作系统，编程方法学，可编程系统研究，超级计算技术，复杂性理论，计算与生物学，密码学与信息安全，分布式系统理论，先进网络体系结构，并行编辑器与运行时间系统；并行输入输出与磁盘结构，并行系统、分布式数据库和交易系统，在线分析处理与数据开采中的性能分析。

　　子方向名称：Computer Graphics计算机图形、Imaging & Image Processing成像及图像处理、Computer Architecture & Arithmetic 计算机系统结构及算法、Data 数据库、Digital Systems Computer-Aided Design数字系统的计算机辅助设计、Technology CAD 计算机辅助设计技术。

　　光子学与光学

　　在美国大学，光子学与光学属于电气电子系的关键方向之一。本方向包括光电子学装置，超快电子学，非线性光学，微光子学，三维视觉，光通讯，软X光与远紫外线光学，光印刷学，光数据处理，光通讯，光计算，光数据存储，光系统设计与全息摄影，体全息摄影研究，复合光数字数据处理，图象处理与材料光学特性研究。

　　子方向名称：Angle-Resolved Photo-Emission Spectroscopy角分辨光发射谱、Microphotonics 微光学技术、Nano-Photonics 纳米光子学、Nanoscale and Quantum Photonics 纳米和量子光子学、Photonics-Ultra Fast & Nonlinear Optics 光子学-超高速&非线性光学、Quantum Optics and Mesoscopic Physics量子光学和介观物理。

　　代表学校：选校是难题。。除了三大光学中心之外（U Arizona Rochester Central Florida），做光学的教授可能在Physics，也可能在EE。一般在EE的多些，在物理系的也大多集中于激光Laser、非线性Nonlinear、量子光学Quantum Optics。有些学校虽然没有独立的光学院，但有Physics和EE合办的，针对Optics的Program。这些Program往往通过Physics和EE都能申请。

　　电磁学

　　本方面包括卫星通讯，微波电子学，遥感，射电天文学，雷达天线，电磁波理论及应用，无线电与光系统，光学与量子电子学，短波激光，光信息处理，超导电子学，微波磁学，电磁场与生物媒介的相互作用，微波与毫米波电路，微波数字电路设计，用于地球遥感的卫星成像处理，子毫米波大气成像辐射线测定（Submillimeter－Wave Atmospheric Imaging Radiometry），矢量有限元，材料电气特性测量方法，金属零件缺陷定位。

　　子方向名称：Electromagnetic 电磁、Magnetic Resonance Systems 磁共振系统、Radar Remote Sensing & Interferometer雷达遥感与干涉。

　　代表学校：Ohio State Univ、UIUC、U Mich、UMASS 在电磁场方向的微波电路等电磁场应用领域实力强悍、Missouri University of Science and Technology - Rolla （原UMR）、 U Colorado –Boulder：RF/Microwave方向，Active Antenna group很好。

　　微结构 Microstructure

　　作为微电子学革命的发源学科，固体电子学技术现在又产生了另一个新的重要的技术领域--微机电系统Micro－Electro－Mechanical Systems MEMS。MEMS是一个极端多学科交叉的领域，对许多工程与科学领域有重大影响，尤其是电气工程，机械工程，生物工程等等。最近的研究表明微加工（Micromaching）为推动化学工程、材料工程、生物学、物理化学的前沿发展提供了强大的工具。MEMS的最基础方面是微制备技术的加工知识，制造微小结构的方法。正是MEMS技术使我们能够制造超声微喷流（Microjet）和微米尺度电机，能在一硅晶片上制造纳米尺度扫描隧道显微镜nanoscale scanning tunneling microscopes，能制作用于测量精细胞活性的微迷宫。

　　子方向名称：Ultra Low Power 超低功率。

　　微机电系统（简称MEMS，Micro-Electro-Mechanical Systems）：MEMS是美国的叫法，在日本被称为微机械，在欧洲被称为微系统。是一种全新的必须同时考虑多种物理场混合作用的研发领域，相对于传统的机械，它们的尺寸更小，最大的不超过一个厘米，甚至仅仅为几个微米，其厚度就更加微小。它是在融合多种微细加工技术，并应用现代信息技术的最新成果的基础上发展起来的高科技前沿学科。

　　MEMS的发展前景毋庸置疑。对于学习EE的学生，MEMS更是值得我们认真而又仔细地去学习，去研究，甚至去创造。而与此同时，美国那边不少的学校，不少的教授，正好也都在致力于有关MEMS的研究，对于我们这群申请者来说，无疑是一个很好的机会。

　　以下介绍几所在MEMS方向比较有特色的大学（研究所）：CMU、Stanford University、GIT、UC Berkeley、其他有研究MEMS方向的学校：UCLA George Washington University-about noise of micro-accelerometers，Clemson University- In Tire sensor，U Penn- piezoelectric effect。

　　材料与装置

　　电气电子材料及其装置是美欧大学电气学科中的重要学科方向之一。这一学科包括光电子装置仿真，纳结构电子学，半导体与微电子学，磁性材料、介电材料与光材料及其装置，固态物理及其应用，小型机械结构及其激励器，微机械与纳机械装置 （Micromechanical and Nanomechanical Devices），物理、化学和生物传感器，装置物理学及其特征化，设备建模与仿真，纳制备（Nanofabrication）与新装置，微细加工（Micro fabrication），超导电子学。

　　子方向名称：Ultrasonic Devices 超声波设备。

　　生物工程

　　生物、生命科学是21世纪的最活跃学科之一，利用电气电子技术进行生物生命研究是美欧大学电气学科的特点之一。本方面包括生物仪器，生物传感器，计算神经网络，生物医学超声学，微机电系统（MEMS），神经系统中信号的传递与编码，高能粒子与生命物质的相互作用，高能粒子束与高能X光在治疗肿瘤中的临床应用，医学成像，生物图象处理，磁共振成像，发射型计算机断层摄影术（PET和SPET），超声成像，超声成像的三维重建，心脏成像的特征提取，PET/SPET成像中衰减校正，神经微电子界面，血管内的成像，聋瞎病人感官辅助系统，盲人阅读机，自动语言识别等。

　　代表学校：CASE。

　　EE其他方向：扫描探针（Scanning Probes）、微观结构-纳米技术（Microstructures- Nanotechnology）、电路&网络形象识别设计（Visual Indentity system Internate）、 电磁&光子学（Electromagnetic & Photonics）、半导体材料&器件物理学（Semiconductor Materials & Device Physics ）、微机电系统（MEMS）、生物微机电系统&金属氧化物半导体场效应管（Bio MEMS & MOSEFT（Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor））。